? ? Single In-line Memory Modules
h2>?
Rimm PC9600 RDRAM |
где Rimm PC700 RDRAM - промежуточная спецификация от апреля 1998г. Rimm PC800 RDRAM имеет 400 МГц шину, а Rimm PC1066 RDRAM - 533 МГц. Лучшая память от Rambus-а - Rimm PC1200 RDRAM - память, имеющая максимальную скорость передачи данный по шине в 4.8 Гб/с (представлена в январе 2002г.)
Любая подсистема памяти Direct Rambus состоит из пяти компонент:
- Direct Rambus Controller — это главная шина подсистемы памяти. Он помещается на чипе логики, как и PC-чипсет, микропроцессор, графический контроллер. Физически можно поместить до четырех Direct Rambus—контроллеров на одном чипе логики. Контроллер — это интерфейс между чипом логики и памятью Rambus, и в его обязанности входит генерация запросов, управление потоком данных, и ряд других функций.
- Direct Rambus Channel создает электрические соединения между Rambus Controller и чипами Direct RIMM. Работа канала основана на 30-ти сигналах, составляющих высокоскоростную шину. Эта шина работает на частоте 400 МГц и, за счет передачи данных на обеих границах тактового сигнала, позволяет передавать данные на 800 МГц. Два канала данных (шириной в байт каждый) позволяет получать пиковую пропускную способность в 1,6 Гбайт/с. Канал соответствует форм-фактору SDRAM.
- Direct Rambus Connector. 168-контактный разъем представляет собой низкоиндуктивный интерфейс между каналом на модуле RIMM и каналом на материнской плате.
- Direct Rambus Rimm(tm). Собственно модуль памяти, который включает в себя один или более чипов и организует непрерывность канала. По существу, RIMM образует непрерывный канал на пути от одного разъема к другому. Поэтому оставлять свободные разъемы нельзя.
- Direct Rambus DRAMs (чипы DRDRAM, запоминающие данные). Устройства Direct Rambus могут только отвечать на запросы контроллера, который делает их шину подчиненной или отвечающей.
Пока память DRDRAM является наиболее производительной, но и самой дорогой. Хотя благодаря 0.13 мкм техпроцессу, себестоимость Direct Rambus Rimm сильно снизилась.
Но ее преимущество перед не столь существенно. К моменту выхода моделей Pentium 4 (с FSB533, где реально могла бы пригодиться пропускная способность Rambus-а), Intel уже начал выпуск чипсетов с поддержкой , что практически сравнимо с пропускной способностью двухканального Rimm PC800 DRAM. C появлением все новых чипсетов, поддерживающих DDR-I SDRAM, привлекательность Rambus падает. Т.е. сначала Rambus из-за Intel-а проиграл , потом над Rambus-ом взяла вверх , а далее противостояние опять: Rambus против .
На мой взгляд эта память нужна очень немногим - пользователям, которым нужна производительность любой ценой (точнее - по любой цене). Использование Direct Rambus обычным пользователям - не рекомендую.
"... Обещанного не всякий дождется ..." |
Высокая плотность записи достигается за счет того, что голографический образ (голограмма) кодируется в один большой блок данных, который записывается всего за одно обращение. При чтении этот блок целиком извлекается из памяти. За основной материал разработок принят светочувствительном материал - ниобат лития, LiNbO3. Материалом для носителя в коммерческих устройствах является новый класс фотополимерных материалов. Для чтения или записи голографических блоков используются лазеры. Тысячи т.н. цифровых страниц, каждая из которых содержит до миллиона бит, можно поместить в устройство размером с кусочек сахара. Уже достигнута плотность порядка 10GB/sm3, ожидается - плотность данных в 1TБ на кубический сантиметр (TB/sm3).
Можно сравнить с используемым сегодня магнитным способом - нескольких MB/sm2.
Сначала в устройстве голографической памяти происходит разделение луча сине-зеленого аргонового лазера на две составляющие - опорный и предметный лучи (последний является носителем самих данных). Для голографической памяти не годятся светодиоды на базе полупроводниковых лазеров, а применяются новые твердотельные лазеры. Предметный луч подвергается расфокусировке, чтобы он мог полностью освещать пространственный световой модулятор (SLM - Spatial Light Modulator). SLM - это жидкокристаллическую (LCD) панель, на которой страница данных отображается в виде матрицы, состоящей из светлых и темных пикселей (двоичные данные). Оба луча направляются внутрь светочувствительного кристалла, где и происходит их взаимодействие. В результате этого взаимодействия образуется интерференционная картина, которая и является основой голограммы и запоминается в виде набора вариаций показателя преломления или коэффициента отражения внутри этого кристалла. При чтении данных кристалл освещается опорным лучом, который, взаимодействуя с хранимой в кристалле интерференционной картиной, воспроизводит записанную страницу в виде образа "шахматной доски" из светлых и темных пикселей (голограмма преобразует опорную волну в копию предметной). Затем этот образ направляется в матричный детектор, основой для которого служит прибор с зарядовой связью (CCD - Charge-Coupled Device или ПЗС), захватывающее всю страницу данных. При чтении данных опорный луч должен падать на кристалл под тем же самым углом, при котором производилась запись этих данных, и допускается изменение этого угла не более чем на градус. Это позволяет получить высокую плотность данных: изменяя угол опорного луча или его частоту, можно записать дополнительные страницы данных в том же самом кристалле.
Динамическая область среды определяется количеством страниц, которые она может реально вмещать, поэтому участники PRISM и занимаются исследованием ограничений на светочувствительность материалов.
"... Ничто не дается нам так дешево, как хочется ..." |
Был построен прототип системы памяти, в котором бактериородопсин запоминает данные в трехмерной матрице. Такая матрица представляет собой кювету (прозрачный сосуд), заполненную полиакридным гелем, в который помещен протеин. Кювета имеет продолговатую форму размером 1x1x2 дюйма. Протеин, который находится в bR-состоянии, фиксируется в пространстве при полимеризации геля. Кювету окружают батарея лазеров и детекторная матрица, построенная на базе прибора, использующего принцип зарядовой инжекции (CID - Charge Injection Device), которые служат для записи и чтения данных. При записи данных сначала используется желтый "страничный" лазер - для перевода молекул в Q-состояние. Пространственный световой модулятор (SLM, представляет собой LCD-матрицу, создающую маску на пути луча), вызывает возникновение активной (возбужденной) плоскости в материале внутри кюветы. Перед возвратом протеина в состояние покоя (в нем он может находиться довольно длительное время, сохраняя информацию) зажигается красный, записывающий лазер. Для стирания данных достаточно короткого импульса синего лазера, чтобы вернуть молекулы из Q-состояния в исходное bR-состояние.
Суммарное время для выполнения операции чтения или записи составляет около 10ms. Как и , молекулярная осуществляет параллельный доступ в цикле чтения-записи, что позволяет рассчитывать на скорость до 10MBps. Если объединить по восемь запоминающих битовых ячеек в байт с параллельным доступом, то можно достигнуть скорости 80MBps.
Некоторые версии устройств SLM выполняют страничную адресацию, которая в недорогих конструкциях используется при направлении луча на нужную страницу с помощью поворотной системы гальванических зеркал. Такой SLM обеспечивает доступ за 1ms, но и стоит в четыре раза дороже. Ограничения на емкость связаны с проблемами линзовой системы и качеством протеина, но на сегодня модуль молекулярной памяти может вместить 1 ТВ данных.
Данные сохраняются постоянно - даже если выключить питание системы памяти, это не приведет к потере информации. Кубики с данными, имеющие маленькие размеры, но содержащие гигабайты информации, можно помещать в архив для хранения копий (как магнитные ленты). Так как кубики не содержат движущихся частей, это удобнее и надежнее, чем или любые .
Вместо эпилога - сводная таблица некоторых параметров трех технологий.
/p>

Вместо итогов обращаю Ваше внимание на ряд важных факторов:
- развитие оперативной памяти - бесконечный и быстрый процесс. Чтобы Вы не купили - оно уже морально устарело;
- если какая-то память предлагается по более дешевой цене, то вероятно, что и качество у нее более низкое. Копьютеры с установленной в них дешевой памятью могут часто "зависать", например при высокой температуре воздуха или большой влажности;
- при выборе всегда смотрите тип поддерживаемой ее чипсетом оперативной памяти. Многие по своей спецификации поддерживают как память , так и память , и все зависит от того, какой именно тип памяти реализован. Встречаются даже с наличием двойных слотов (одновременно и для SDRAM и для DDR SDRAM-памяти), хотя использован может быть только один тип памяти;
- не покупайте память "Made in China";
- верхний объем памяти зависит еще и от . Например 95, 98, 98SE и Me не предназначены для работы с памятью объемом более 512 Мб;
Личное мнение... если Вы покупаете новый системный блок - покупайте и частоту побольше. А если Вы модернизируетесь на P_IV (напр. с P_III) - оставьте свои и ищите плату с i845.
©
ноябрь 2001г.-март 2003г.
[ | | | | | ]