Персональный компьютер, или Азбука PC для начинающих

? ? Single In-line Memory Modules


h2>?

Rimm PC9600 RDRAM
 

  где Rimm PC700 RDRAM - промежуточная спецификация от апреля 1998г. Rimm PC800 RDRAM имеет 400 МГц шину, а Rimm PC1066 RDRAM - 533 МГц. Лучшая память от Rambus-а - Rimm PC1200 RDRAM - память, имеющая максимальную скорость передачи данный по шине в 4.8 Гб/с (представлена в январе 2002г.)


  Любая подсистема памяти Direct Rambus состоит из пяти компонент:

  1. Direct Rambus Controller — это главная шина подсистемы памяти. Он помещается на чипе логики, как и PC-чипсет, микропроцессор, графический контроллер. Физически можно поместить до четырех Direct Rambus—контроллеров на одном чипе логики. Контроллер — это интерфейс между чипом логики и памятью Rambus, и в его обязанности входит генерация запросов, управление потоком данных, и ряд других функций.
  2. Direct Rambus Channel создает электрические соединения между Rambus Controller и чипами Direct RIMM. Работа канала основана на 30-ти сигналах, составляющих высокоскоростную шину. Эта шина работает на частоте 400 МГц и, за счет передачи данных на обеих границах тактового сигнала, позволяет передавать данные на 800 МГц. Два канала данных (шириной в байт каждый) позволяет получать пиковую пропускную способность в 1,6 Гбайт/с. Канал соответствует форм-фактору SDRAM.
  3. Direct Rambus Connector. 168-контактный разъем представляет собой низкоиндуктивный интерфейс между каналом на модуле RIMM и каналом на материнской плате.
  4. Direct Rambus Rimm(tm). Собственно модуль памяти, который включает в себя один или более чипов и организует непрерывность канала. По существу, RIMM образует непрерывный канал на пути от одного разъема к другому. Поэтому оставлять свободные разъемы нельзя.
  5. Direct Rambus DRAMs (чипы DRDRAM, запоминающие данные). Устройства Direct Rambus могут только отвечать на запросы контроллера, который делает их шину подчиненной или отвечающей.

  Пока память DRDRAM является наиболее производительной, но и самой дорогой. Хотя благодаря 0.13 мкм техпроцессу, себестоимость Direct Rambus Rimm сильно снизилась.


Но ее преимущество перед не столь существенно. К моменту выхода моделей Pentium 4 (с FSB533, где реально могла бы пригодиться пропускная способность Rambus-а), Intel уже начал выпуск чипсетов с поддержкой , что практически сравнимо с пропускной способностью двухканального Rimm PC800 DRAM. C появлением все новых чипсетов, поддерживающих DDR-I SDRAM, привлекательность Rambus падает. Т.е. сначала Rambus из-за Intel-а проиграл , потом над Rambus-ом взяла вверх , а далее противостояние опять: Rambus против .
  На мой взгляд эта память нужна очень немногим - пользователям, которым нужна производительность любой ценой (точнее - по любой цене). Использование Direct Rambus обычным пользователям - не рекомендую.

  "... Обещанного не всякий дождется ..."  
  Голографическая память или технология оптической записи. В мире существуют две научно-исследовательские программы. Одна - программа PRISM (Photorefractive Information Storage Material), вторая - HDSS (Holographic Data Storage System). Целью PRISM является поиск подходящих сред для хранения голограмм, а HDSS ориентирована на разработку аппаратных средств, необходимых для практической реализации голографических запоминающих систем. Обе ведут ряд фундаментальных исследований, а ее участниками являются те же компании.
  Высокая плотность записи достигается за счет того, что голографический образ (голограмма) кодируется в один большой блок данных, который записывается всего за одно обращение. При чтении этот блок целиком извлекается из памяти. За основной материал разработок принят светочувствительном материал - ниобат лития, LiNbO3. Материалом для носителя в коммерческих устройствах является новый класс фотополимерных материалов. Для чтения или записи голографических блоков используются лазеры. Тысячи т.н. цифровых страниц, каждая из которых содержит до миллиона бит, можно поместить в устройство размером с кусочек сахара. Уже достигнута плотность порядка 10GB/sm3, ожидается - плотность данных в 1TБ на кубический сантиметр (TB/sm3).





Можно сравнить с используемым сегодня магнитным способом - нескольких MB/sm2.
  Сначала в устройстве голографической памяти происходит разделение луча сине-зеленого аргонового лазера на две составляющие - опорный и предметный лучи (последний является носителем самих данных). Для голографической памяти не годятся светодиоды на базе полупроводниковых лазеров, а применяются новые твердотельные лазеры. Предметный луч подвергается расфокусировке, чтобы он мог полностью освещать пространственный световой модулятор (SLM - Spatial Light Modulator). SLM - это жидкокристаллическую (LCD) панель, на которой страница данных отображается в виде матрицы, состоящей из светлых и темных пикселей (двоичные данные). Оба луча направляются внутрь светочувствительного кристалла, где и происходит их взаимодействие. В результате этого взаимодействия образуется интерференционная картина, которая и является основой голограммы и запоминается в виде набора вариаций показателя преломления или коэффициента отражения внутри этого кристалла. При чтении данных кристалл освещается опорным лучом, который, взаимодействуя с хранимой в кристалле интерференционной картиной, воспроизводит записанную страницу в виде образа "шахматной доски" из светлых и темных пикселей (голограмма преобразует опорную волну в копию предметной). Затем этот образ направляется в матричный детектор, основой для которого служит прибор с зарядовой связью (CCD - Charge-Coupled Device или ПЗС), захватывающее всю страницу данных. При чтении данных опорный луч должен падать на кристалл под тем же самым углом, при котором производилась запись этих данных, и допускается изменение этого угла не более чем на градус. Это позволяет получить высокую плотность данных: изменяя угол опорного луча или его частоту, можно записать дополнительные страницы данных в том же самом кристалле.
  Динамическая область среды определяется количеством страниц, которые она может реально вмещать, поэтому участники PRISM и занимаются исследованием ограничений на светочувствительность материалов.



  "... Ничто не дается нам так дешево, как хочется ..."  
  Молекулярная память. Группа исследователей центра "W.M. Keck Center for Molecular Electronic" под руководством профессора Роберта Р.Бирга (Robert R. Birge) уже получила прототип системы памяти, использующей для запоминания цифровые биты молекулы. Это молекулы протеина, который называется бактериородопсин (bacteriorhodopsin). Данные, записанные на бактериородопсинном запоминающем устройстве, должны сохраняться около пять лет.
  Был построен прототип системы памяти, в котором бактериородопсин запоминает данные в трехмерной матрице. Такая матрица представляет собой кювету (прозрачный сосуд), заполненную полиакридным гелем, в который помещен протеин. Кювета имеет продолговатую форму размером 1x1x2 дюйма. Протеин, который находится в bR-состоянии, фиксируется в пространстве при полимеризации геля. Кювету окружают батарея лазеров и детекторная матрица, построенная на базе прибора, использующего принцип зарядовой инжекции (CID - Charge Injection Device), которые служат для записи и чтения данных. При записи данных сначала используется желтый "страничный" лазер - для перевода молекул в Q-состояние. Пространственный световой модулятор (SLM, представляет собой LCD-матрицу, создающую маску на пути луча), вызывает возникновение активной (возбужденной) плоскости в материале внутри кюветы. Перед возвратом протеина в состояние покоя (в нем он может находиться довольно длительное время, сохраняя информацию) зажигается красный, записывающий лазер. Для стирания данных достаточно короткого импульса синего лазера, чтобы вернуть молекулы из Q-состояния в исходное bR-состояние.
  Суммарное время для выполнения операции чтения или записи составляет около 10ms. Как и , молекулярная осуществляет параллельный доступ в цикле чтения-записи, что позволяет рассчитывать на скорость до 10MBps. Если объединить по восемь запоминающих битовых ячеек в байт с параллельным доступом, то можно достигнуть скорости 80MBps.



Некоторые версии устройств SLM выполняют страничную адресацию, которая в недорогих конструкциях используется при направлении луча на нужную страницу с помощью поворотной системы гальванических зеркал. Такой SLM обеспечивает доступ за 1ms, но и стоит в четыре раза дороже. Ограничения на емкость связаны с проблемами линзовой системы и качеством протеина, но на сегодня модуль молекулярной памяти может вместить 1 ТВ данных.
  Данные сохраняются постоянно - даже если выключить питание системы памяти, это не приведет к потере информации. Кубики с данными, имеющие маленькие размеры, но содержащие гигабайты информации, можно помещать в архив для хранения копий (как магнитные ленты). Так как кубики не содержат движущихся частей, это удобнее и надежнее, чем или любые .

  Вместо эпилога - сводная таблица некоторых параметров трех технологий.

DRAM TypeNameBase
Memory
Speed

DDR/
QDRBus
Width
(bits)Bits
per
Byte

Single Channel
Theoretical
Bandwidth

Dual Channel
Theoretical
Bandwidth

Quad Channel
Theoretical
BandwidthSDRAM

PC6666MHz--648

533MB/s1066MB/s2133MB/sPC100100MHz--64

8800MB/s1600MB/s3200MB/sPC133133MHz--64

81066MB/s2133MB/s4266MB/sPC150150MHz--64

81200MB/s2400MB/s4800MB/sDDR SDRAM

PC1600
(DDR200)100MHzx2648

1600MB/s3200MB/s6400MB/sPC2100
(DDR266)133MHzx2648

2133MB/s4266MB/s8533MB/sPC2400150MHzx2648

2400MB/s4800MB/s9600MB/sPC2700
(DDR333)166MHzx2648

2666MB/s5333MB/s10666MB/sPC3200
(DDR400)200MHzx2648

3200MB/s6400MB/s12800MB/sQDR SDRAM

PC1600
(QDR400)100MHzx4

6483200MB/s6400MB/s--PC2100
(QDR533)133MHzx4648

4266MB/s8533MB/s--PC2700
(QDR666)166MHzx4

6485333MB/s10666MB/s--DDR-II SDRAM

PC3200
(DDRII-400)200MHzx264

83200MB/s6400MB/s12800MB/sPC4300
(DDRII-533)266MHzx2

6484266MB/s8533MB/s16466MB/sPC5400
(DDRII-667)333MHzx2

6485333MB/s10666MB/s21333MB/sPC6400
(DDRII-800)400MHzx2

6486400MB/s12800MB/s25600MB/sRambusPC600266MHz

x21681066MB/s2133MB/s--PC600300MHzx2168

1200MB/s2400MB/s--PC700300MHzx2168

1200MB/s2400MB/s--PC700356MHzx2168

1424MB/s2848MB/s--PC800400MHzx2168

1600MB/s3200MB/s--Rambus HastingsPC1066533MHz

x2168---4266MB/s--PC1200600MHzx2168---

4800MB/s---32-bit-ные
модули RambusPC4200

533MHzx2168---4266MB/s---PC4800600MHzx2168---

4800MB/s---64-bit-ные
модули RambusPC8500

533MHzx2168------8533MB/sPC9600600MHzx2168

------9600MB/s
<



/p>



  Вместо итогов обращаю Ваше внимание на ряд важных факторов:


  • развитие оперативной памяти - бесконечный и быстрый процесс. Чтобы Вы не купили - оно уже морально устарело;
  • если какая-то память предлагается по более дешевой цене, то вероятно, что и качество у нее более низкое. Копьютеры с установленной в них дешевой памятью могут часто "зависать", например при высокой температуре воздуха или большой влажности;
  • при выборе всегда смотрите тип поддерживаемой ее чипсетом оперативной памяти. Многие по своей спецификации поддерживают как память , так и память , и все зависит от того, какой именно тип памяти реализован. Встречаются даже с наличием двойных слотов (одновременно и для SDRAM и для DDR SDRAM-памяти), хотя использован может быть только один тип памяти;
  • не покупайте память "Made in China";
  • верхний объем памяти зависит еще и от . Например 95, 98, 98SE и Me не предназначены для работы с памятью объемом более 512 Мб;


  Личное мнение... если Вы покупаете новый системный блок - покупайте и частоту побольше. А если Вы модернизируетесь на P_IV (напр. с P_III) - оставьте свои и ищите плату с i845.

©

ноябрь 2001г.-март 2003г.

[ | | | | | ]
 


Содержание раздела